3-5.SiC・GaN単結晶ウエハの高能率・高精度平坦化 2007.12.02更新

SiC及びGaN基板は，高周波デバイス用基板やパワーデバイス用基板としての利用が期待されている．しかしながら、SiC・GaNの研磨においては，熱的・化学的に極めて安定であることから，加工が困難であるという問題がある． 　我々は，従来のCMPに代わる新しい平坦化加工法として触媒基準エッチング法（CAtalyst-Referred Etching : CARE）を提案し，4H-SiCの加工に適応した．4H-SiCの加工ではポリッシングパッドに白金触媒を用い，フッ酸溶液中で活性な反応種を作り出すことでSiCを化学的に加工する加工法である．また、GaNの加工ではポリッシングパッドに鉄を用い，過酸化水素水を用いることでOHラジカルを生成して加工を実現する。 図に4H-SiC（0001）Justの加工結果について示す。CAREによって原子レベルで平坦かつ，ダメージのない表面が作製できた．現在、より高速に、安定的に試料を作成すべく、実用化研究を行っているところである。

関連する研究テーマ
1-4. 触媒基準エッチング法 CARE（CAtalyst-Referred　Etching）